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与其他外延方法相比；它具有如下的优点：1）生长设备比较简单，；2）有较高的生长速率；3）掺杂剂选择范围广；4）晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低；5）晶体纯度高，生长系统中没有和强腐蚀性的原料及产物，操作安全、简便等。LPE的不足在于，当外延层与衬底晶格常数差大于1%时，不能进行很好的生长。其次，由于分凝系数的不同，除生长很薄的外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组合均匀性遇到困难。再者LPE的外延层表面一般不如气相外延好。



低温硅液相外延：低温外延是硅器件制造的总体趋势.在硅LPE中,由于新的溶剂(主要是Ag,Au及其合金)不断发现,大大降低了硅LPE的温度.金对硅的溶解度就是在400℃也能达到15at.%以上,Ag在845℃也有11at.%的Si含量.又因金在硅中的固溶度在800℃才达到影响光生载流子寿命的阈值,而当生长温度低于500℃时,Au在硅中的固溶度不到1012cm-3。



LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1]  .场控制器件：CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1]  .