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其中倾斜法是在生长开始前,使石英管内的石英容器向某一方向倾斜,并将溶液和衬底分别放在容器内的两端;垂直法是在生长开始前,将溶液放在石墨坩锅中,而将衬底放在位于溶液上方的衬底架上;滑舟法是指外延生长过程在具有多个溶液槽的滑动石墨舟内进行。在外延生长过程中,济南1200液相,可以通过四种方法进行溶液冷却:平衡法、突冷法、过冷法和两相法。

示差折光检测器(RID)温控:室温+5℃至55℃内置自动吹扫阀和自动溶剂循环阀● 电化学检测器(ECD)● LC/MS四级杆质量检测器(MSD)● LC/MS离子阱质量检测器(Trap MSD)
柱温箱和脱气机组件● 柱温箱温度范围:室温下10℃至80℃可选件:柱切换阀● 真空在线脱气机
荧光检测器(FID)激发波长:200-700nm发射波长:280-900nm光谱存储:全光谱

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。

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