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LPE的硅外延层，以其良好的电学、光学及其生长特性，而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前，二手1260供应，取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1]  .场控制器件：CVD在硅器件的埋结制造中，因自掺杂而出现埋层尺寸增加，密排栅极叉指制造也受到严重影响，而LPE因其可以消除自掺杂，而在这方面得到应用，尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造，其优点更为明显 [1]  .

与其他外延方法相比；它具有如下的优点：1）生长设备比较简单，衢州二手1260，；2）有较高的生长速率；3）掺杂剂选择范围广；4）晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低；5）晶体纯度高，生长系统中没有和强腐蚀性的原料及产物，二手1260怎么样，操作安全、简便等。LPE的不足在于，当外延层与衬底晶格常数差大于1%时，不能进行很好的生长。其次，由于分凝系数的不同，除生长很薄的外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组合均匀性遇到困难。再者LPE的外延层表面一般不如气相外延好。

①高压：流动相为液体，流经色谱柱时，受到的阻力较大，为了能迅速通过色谱柱，必须对载液加高压。②高速：分析速度快、载液流速快，较经典液体色谱法速度快得多，通常分析一个样品在15～30分钟，有些样品甚至在5分钟内即可完成，一般小于1小时。③：分离效能高。可选择固定相和流动相以达到分离效果，比工业精馏塔和气相色谱的分离效能高出许多倍。

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